【摘 要】
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本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构把点注入PNM(Partially N
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构把点注入PNM(Partially Narrow Mesa,局部窄台面)槽栅结构应用于内透明集电极IGBT中,通过对PNM-ITC-IGBT进行仿真,并与不同槽栅间距的普通槽栅内透明集电极IGBT对比,结果表明新结构在导通特性、开关特性、短路特性等方面,有良好性能,尤其在短路特性方面,极大改善了槽栅IGBT坚固性.
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