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本文试析了基于单端正激拓扑结构及谐振复位技术的DC/DC变换器中功率开关管VDMOS损耗的计算方法，讨论了VDMOS器件损耗的组成以及影响VDMOS损耗的因素，并给出了各部分损耗的计算公式。通过在同款DC/DC变换器中对比不同的VDMOS器件对效率的影响验证计算方法的正确性，为DC/DC变换器的VDMOS器件选型、应用提供了参考。