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蓝宝石是第三代半导体材料GaN的主要衬底材料，其表面质量直接影响器件的性能。对蓝宝石衬底片进行CMP研究，系统分析了影响CMP效果的多种因素，讨论了CMP机理模型，采用自制的小拉径((20-30nm)、低分散度的Si02水溶胶磨料，避免由拉径不均匀造成的划伤，在抛光过程中向CMP桨料中加入复合表面活性剂，降低了表面张力，实现了高凹凸选择性和低粗糙度。质量传递和温度成正向关系，温度愈高，传递速度越快、速率差愈大，通过控制适当的温度实现了粗糙度达亚纳米级，最佳值达到0.2nm，获得了比校完美的蓝宝石表面状态。