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该文采用热丝辅助射频等郭子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜，通过Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）分析，无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相，且从扫描电镜（ＳＥＭ）形貌图看到比较完整的晶粒，该文还对影响ｃ－ＢＮ薄膜的生长因素进行了探讨。
立方氮化硼薄膜的制备及生长机理研究
【摘 要】
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该文采用热丝辅助射频等郭子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜，通过Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）分析，无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相，且从扫描电镜（ＳＥＭ）形貌图看到比较完整的晶粒，该文还对影响ｃ－ＢＮ薄膜的
【机 构】
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大学物理系
【出 处】
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'96中国材料研讨会
【发表日期】
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1996年期
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