【摘 要】
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硅薄膜太阳能电池的窗口层要求其有良好的光透过性能以及高电导率,通常硅薄膜太阳能电池使用B掺杂的非晶碳化硅作为p型窗口层,尽管可以实现较高的开路电压,但是受薄膜非晶态
【机 构】
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中国科学院大连化学物理研究所 116023
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硅薄膜太阳能电池的窗口层要求其有良好的光透过性能以及高电导率,通常硅薄膜太阳能电池使用B掺杂的非晶碳化硅作为p型窗口层,尽管可以实现较高的开路电压,但是受薄膜非晶态的影响,其掺杂效率受到限制.低光学吸收系数、高掺杂效率的p型纳米晶硅作为硅薄膜太阳电池窗口层是一种选择,尽管纳米晶硅薄膜在光学方面有优势,但是,由于其迁移率带隙仅1.2 eV,制备得到的硅薄膜太阳电池导致开路电压损失.
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