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用透射击电子显微镜和Raman散射谱对InAs/GaAs量子点材料在退火过程中微观结构的行为进行了研究，实验结果表明五周期的InAs/GaAs量子点材料在砷压下，经700℃，60分钟退火后，其GaAs盖层的表面上出现了岛状沉淀物，显示出规则的Moire条纹，通过衍射衬底的分析可鉴定沉淀物为与基体GaAs具有半共格关系的砷晶粒，Raman散射谱的测量表明退火材料中出现了与砷晶粒相关的附加峰，证实了该材料系在所用的热退火条件下存在着应变增强的快速扩散，导致了表面砷沉淀的形成。