【摘 要】
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介质振荡器(Dielectric Resonant Oscillator)具有可靠性高、稳定性好、相位噪声低的优点,在频率捷变雷达和电子战系统中发挥了十分重要的作用.多频介质振荡器(Multi Frequencies Dielectric Resonant Oscillator)除具有介质振荡器的优点外,还有转移频率跨度大、转移时间短的特点,应用到军事通信中,可实现跨频段通信,提升通信设备的抗干扰
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介质振荡器(Dielectric Resonant Oscillator)具有可靠性高、稳定性好、相位噪声低的优点,在频率捷变雷达和电子战系统中发挥了十分重要的作用.多频介质振荡器(Multi Frequencies Dielectric Resonant Oscillator)除具有介质振荡器的优点外,还有转移频率跨度大、转移时间短的特点,应用到军事通信中,可实现跨频段通信,提升通信设备的抗干扰能力.本文介绍了多频介质振荡器的电路结构、工作特点,对多频锁相介质振荡器的实施方案进行了讨论.最后给出了实验结果.
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利用硅功率双极晶体管(Si BJT)的小信号S参数及瞬态I-V特性的测量数据,本文提出建立一种BJT大信号分析模型及其内匹配电路设计方法.涉及到管壳剥离的方法,利用分步优化和变尺度的方法,通过编制程序计算出大信号状态下管芯的输入输出动态阻抗,以此为依据设计出内匹配电路.
首先阐述了S波段低相位噪声、高频稳度VCO设计所遵循的一般原则,然后详细分析了基于ADS软件的VCO的设计和仿真过程,最后给出了实验结果.实验结果比较理想,对于发射机调频源的设计具有重要的参考价值.
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用串并型结构,在0.9GHz,插入损耗小于0.9dB,隔离度典型值为50dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs开关电路采用3英寸GaAs圆片标准成熟工艺加工,具有批量生产能力.
本文探讨了一种L波段高速频率合成器的设计方法.通过采用有选择混频的方法,明显减小了体积,节约了成本.并且从主要技术指标入手,与其他常见的频率合成器设计方法进行了比较,指出了本设计方法存在的优点与不足.同时,文中还讨论了几个在设计中遇到的实际问题.
实际上遇到的工程问题很多情况下并不知道负载反射系数的相位,或者说反射系数的相位是变化的.本文研究了无耗宽带匹配网络反射系数模理论,提出了反射系数│Г│的极限性和带宽不等式.文中给出了匹配实例.
18GHz介质振荡器是一种输出频率较高的频率源.本振荡器由输入匹配电路、输出匹配电路、高Q反馈电路分等组成.电路设计采用计算机辅助设计,设计和实际达到了很好地吻合.主要性能如下:输出频率18GHz,输出功率≥10dbm,杂波抑制≥70dB,频率温度稳定度是≤0.02MHz/℃,相位噪声-84dBc/Hz/10KHz.
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的纯化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz、V=30V时输出功率28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率(PAE)48
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