PECVDSiC薄膜激光退火实验研究

• 作 者: 罗睿[1]郭辉[1]张海霞[1]王煜[1]李素兰[1]张秀兰[2]张国炳[1]
• 机 构: 北京大学微电子研究院，微米/纳米加工国家重点实验室，北京 100871
• 出 处: 第十届固体薄膜会议
• 发表日期: 2006年期

SiC薄膜具有宽禁带、耐高压、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等优点，不仅适合应用在高频大功率高温电子器件的制备，也可以用SiC代替Si制备MEMS器件将具有广泛的应用前景，它可使MEMS器件应用于高温高压等恶劣的环境条件下。本文实验研究了不同激光退火条件对PECVDSiC薄膜的微结构组份，电学和机械特性的影响，实验中使用AES﹑RBS﹑HFS﹑TEM和XRD技术进行测量分析。