晶化温度对钛酸锶钡薄膜电学性能的影响

来源 :第十届固体薄膜会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:resumestd
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采用射频磁控溅射,以铝酸镧(LaAlO3)为基片制备钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了不同晶化温度对BST薄膜显微结构、介电特性的影响。研究表明:BST 薄膜在800℃晶化温度下已形成钙钛矿结构,且随着晶化温度的升高,BST薄膜趋向于(111)方向择优取向。800℃和900℃晶化温度下,获得致密,晶粒尺寸均匀的BST薄膜,当温度升高时,薄膜中出现较明显的缺陷。800℃和900℃晶化后,在外加电场为600kV·cm-1 时,分别获得22.12﹪和26.67﹪的调谐率。
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