【摘 要】
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文中介绍了SnxGe1-x在设计新型光电器件的重要作用,并且说明了该材料巨大前景.对SnGe合金的各项特性进行了说明,以此为基础设计了一种新型LED并且研究了在实际工艺中,SnGe合
【机 构】
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西安电子科技大学,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
文中介绍了SnxGe1-x在设计新型光电器件的重要作用,并且说明了该材料巨大前景.对SnGe合金的各项特性进行了说明,以此为基础设计了一种新型LED并且研究了在实际工艺中,SnGe合金生长条件以及各项参数,说明了在MBE新工艺条件下,能长出质量较好含Sn含量较高的SnGe合金,这对SnGe合金在以后光电器件中运用有及其重要作用.
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