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基于过渡金属氧化物的非挥发性阻变存储器(RRAM)被认为是极有可能替代Flash及DRAM等传统存储器而成为下一代存储器的强有力候选者.因此探究其阻变机理对于进一步缩小器件尺寸及预估其可靠性是至关重要的.本文主要研究了基于ZrO2的阻变存储器其Set/Reset特性.最终将阻变行为归因于电压驱动离子迁移，同时焦耳热效应也在离子漂移扩散过程中起到了至关重要的作用。虽然从可缩小性和技术上讲RRAM有很多优势,但是在探究及模拟其阻变机理的过程中仍存在一些问题.因此本文提出了一种研究双极转换的金属氧化物RRAM器件阻变特性的模型,这个模型模拟了金属氧化物RRAM的Set和Reset行为,并明确地显示出了Set和Reset过程，这对于探究RRAM器件的阻变行为具有很重要的价值和意义。