【摘 要】
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随着科技的发展,固体照明和平板显示都具有越来越大的市场产值.然而,作为生产过程中的重要结构,无论是固体照明技术中的芯片结构(InGaN),或是平板显示技术中的透明电极(I
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学系,杭州,310027
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随着科技的发展,固体照明和平板显示都具有越来越大的市场产值.然而,作为生产过程中的重要结构,无论是固体照明技术中的芯片结构(InGaN),或是平板显示技术中的透明电极(ITO),都对铟(In)这个储量稀缺的元素有着较大的需求,这对产业的可持续发展提出了严重挑战,使得无铟新型光电材料的研发迫在眉睫.宽禁带直接带隙半导体氧化锌(ZnO)可发蓝紫光,透明导电,物丰价廉,环境友好,在固体照明和透明导电膜的应用方面都具有很大潜力.本课题组长期致力于ZnO薄膜制备与物性调控,外延获得的ZnO及ZnMgO单晶薄膜迁移率高(～60cm2V-1s-1),XRD摇摆曲线(0002)面半高宽小(～43 arc sec),达到国际领先水平.同时,课题组还发展了具有自主知识产权的p型掺杂系列核心技术,实现了室温电致发光,并在此基础上结合能带工程,发现了ZnMgO薄膜在掺杂方面的优势,发展了Na-Mg共掺新技术,所得薄膜p型信号稳定,载流子浓度高(～1017cm-3).此外,课题组又发展了组分可调的ZnO薄膜光电性能技术,发展了Al、Ga和F元素掺杂的高透明导电薄膜,所得透明导电薄膜电阻低(～10-4Ωcm),载流子浓度高(Ne=2.5×1021 cm-3),达到国际先进水平,并且已在实际生产中应用.相关工作推进了ZnO的研究,对促进其在实际生产中的应用具有重要意义.
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