Bi2Te3单晶样品生长条件的探究

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a272437762

【摘要】

：

拓扑绝缘体是一种新的量子物态,Bi2Te3、Bi2Se3 等作为新型的三维拓扑绝缘体材料已成为近年来凝聚态物理研究领域的爆发性热点[1]。目前,对三维拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3 等体系的研究主要集中在薄膜材料,而利用固相反应法[2]制备Bi2Te3 单晶材料相对少一些,尤其是对单晶材料不同生长条件的研究较少。

【作者】

：

赵文娟唐雁坤黄勇潮朱化强

【机构】

：

东南大学物理系 211189

【出处】

：

中国物理学会2013年秋季学术会议

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

Bi2Te3单晶生长条件真空度晶体形态

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