(La1-xBax)(Zn1-xMnx)AsO:“1111”体系的稀磁半导体

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lyfhua

【摘要】

：

我们合成了稀磁半导体材料(La1-xBax)(Zn1-xMnx)AsO(0 ≤ x ≤ 0.2),它的晶格结构和“1111”系列的铁基超导体相同,为ZrCuSiAs 结构,Ba 和Mn 的掺杂分别控制载流子和自旋量浓度.在LaZnAsO 材料中的Zn 位掺杂Mn,没有铁磁转变；在La 位掺杂了Ba 后,材料出现了40K 左右的铁磁转变,说明只有在载流子的调制作用下,自旋才能形成铁磁有序.

【作者】

：

丁翠靳常青 Y.J.Uemura 宁凡龙

【机构】

：

浙江大学物理系北京凝聚态物理研究所物理国家重点实验室

【出处】

：

中国物理学会2013年秋季学术会议

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

稀磁半导体 LaZnAsO 载流子自旋铁磁转变

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