论文部分内容阅读
本文基于三维泊松方程的求解，建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比，本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应，而且能够准确地反映二者相互耦合的关系。此外，本文还采用Silvaco 3-D半导体器件仿真软件进行了三维数值模拟，并把模拟的结果与模型的解析结果进行了比较，证实吻合得较好。