【摘 要】
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本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积( Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量较好的SnS薄膜.利用FSEM,AFM,XRD,EDX,UV测试方法对SnS薄膜表面形貌,晶形结构,薄膜成分,光学性能进行了表征,结果表明：在射频功率为270W,基片温度为300℃,沉积时间20min,热处理时间为1h的工艺条件下,所制备出
【机 构】
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华中科技大学物理学院,武汉,430074 华中科技大学物理学院,武汉,430074;华中科技大学电
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本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积( Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量较好的SnS薄膜.利用FSEM,AFM,XRD,EDX,UV测试方法对SnS薄膜表面形貌,晶形结构,薄膜成分,光学性能进行了表征,结果表明：在射频功率为270W,基片温度为300℃,沉积时间20min,热处理时间为1h的工艺条件下,所制备出SnS薄膜呈正交立方结构,其平均晶粒尺寸为300nm,平均表面粗糙度为59.lnm,薄膜杂质含量较低,同时该薄膜具有良好的光学性能,当光子能大于3ev,其光吸收系数大于105.
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