栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

来源 :第11届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hrqing

【摘要】

：

介绍了分别在干氧和氢氧合成两种不同工艺及不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系.结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰减,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善.

【作者】

：

陆妩任迪远郭旗余学锋张国强严荣良王明刚胡浴红赵文魁

【机构】

：

中科院新疆物理研究所(新疆乌鲁木齐) 西安微电子技术研究所(陕西西安)

【出处】

：

第11届全国核电子学与核探测技术学术年会

【发表日期】

：

2002年12期

【关键词】

：

CMOS运算放大器栅氧化层厚度电离辐射辐射效应 MOS器件

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