【摘 要】
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提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的Coγ总剂量效应实验的结果.
【出 处】
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第11届全国核电子学与核探测技术学术年会
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提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的<60>Coγ总剂量效应实验的结果.
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