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该文介绍我们通过掩膜图形的设计，在（１００）单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小外接圆半径仅为腐蚀深度的２．６７倍的小尺寸正八边形单晶硅膜，其力学性能大大优于同样面积的等厚方形单晶硅膜，满足微动力机械的要求。
氢氧化钾各向异性腐蚀制作近似圆形单晶硅膜的掩膜补偿技术
【摘 要】
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该文介绍我们通过掩膜图形的设计，在（１００）单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小外接圆半径仅为腐蚀深度的２．６７倍的小尺寸正八边形单晶硅膜
【机 构】
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大学微电子学研究所
【出 处】
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第五届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1997年期
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