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本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<+>/n双结电池做为工作的起点.
与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池
【摘 要】
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本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P/n双结电池做为工作的起点.
【机 构】
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中国电子科技集团公司十八所
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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