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本研究利用射频溅射法在衬底温度低于200℃的条件下制备了晶粒尺寸小于10nm 的纳米多晶ITO薄膜，XRD结果显示垂直表面的主晶向为(222)。Hall 法测量其电阻率最低为1.9×10-3Ωcm，自由载流子密度最高超过4×1020cm-3，而最高迁移率小于16cm2/(Vs)。根据XRD测试结果计算得到ITO薄膜的晶格失配ε，发现本实验制备样品的ε值大于高品质ITO薄膜的水平。