Internal quantum efficiency droop of GaN LED

来源 :第十一届中国国际半导体照明论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cabinwyq
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  Light-emitting diodes (LEDs) fabricated in the InGaN/GaN material system are widely used in applications where high quantum efficiency and output powers at high drive current densities are valuable.In typical state-of-the-art multiple-quantum-well (MQW) InGaN–GaN LEDs,the quantum efficiency has a maximum at a drive current density (10 A/cm2) and decreases to as little as half of its maximum value at drive current densities above 100 A/cm2.This phenomenon has been defined as “efficiency droop”.
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