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该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ氧化物电荷和界面态密度在电离辐照后不同程度的继续增长，探讨了加速ＭＯＳ器件电离辐照界面态生长的实验室方法。
注F加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应
【摘 要】
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该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ氧化物电荷和界面态密度在电离辐照后不
【机 构】
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院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第八届学术年会
【发表日期】
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1996年期
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