三维短沟CMOS集成技术研究

来源 :中国电子学会生产技术学会1987年第三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:naicha125
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该文采用有限差分方法对高压功率双栅MOSFET(DGMOSFET)的直流特性进行二维数值分析。验证了DGMOSFET的低压MOSFET和VDMOSFET的公共N+浮空区可以近似看成恒定电阻;发现DGMOSFET中VDMOSFET的沟道掺杂的不均匀性,将使VDMOSFET的饱和夹断点移向沟道内
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