论文部分内容阅读
功率MOS器件的功率问题探讨
【机 构】
:
上海科学技术大学
【出 处】
:
中国电工技术学会电力电子学会第四次全国学术会议
【发表日期】
:
1990年期
其他文献
该文以400MHz输出10W,开关时间分别为4nS,导通电阻为2Ω的n沟VVMOS晶体管为例,分析了影响开关参数的两大重要因素。将器件电容和导通电阻的理论计算结果与实验进行比较,从而提出
随着人们生活水平的明显提高,改善居住条件已成为上海市民普遍的迫切愿望,居民购房正成为社会消费的热点。信息科技的发展为住宅智能化的实现提供了强有力的技术支撑,智能化
该文采用有限差分方法对高压功率双栅MOSFET(DGMOSFET)的直流特性进行二维数值分析。验证了DGMOSFET的低压MOSFET和VDMOSFET的公共N+浮空区可以近似看成恒定电阻;发现DGMOSFET中VDMOSFET的沟道掺杂的不均匀性,将使VDMOSFET的饱和夹断点移向沟道内