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以Medici程序模拟为途径,研究了有效沟长为0.5μm的典型SiGe沟道PMOSFET器件开关特性,分析了开关时间随器件垂直层结构和参数的变化规律,通过同Si PMOSFET器件开关时间的对比,表明了SiGe PMOSFET相对优良的开关性能.
应变SiGe沟道PMOSFET开关特性研究
【摘 要】
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以Medici程序模拟为途径,研究了有效沟长为0.5μm的典型SiGe沟道PMOSFET器件开关特性,分析了开关时间随器件垂直层结构和参数的变化规律,通过同Si PMOSFET器件开关时间的对比
【机 构】
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中国科学院微电子中心一室(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年期
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