X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

• 作 者: 谢常青 陈大鹏 李兵 孙加兴 赵玲利 胥兴才 叶甜春
• 机 构: 中国科学院微电子中心(北京)
• 出 处: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2002年期
• 关键词: 射线 光刻技术 技术制作 深亚微米 状况 优化设计 掩模形变 国内 光刻系统 对准技术 电路制造 栅工艺 实用化 高精度 器件 模拟 控制

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟与控制、高精度对准技术、深亚微米T型栅工艺等方面研究状况,最后对X射线光刻技术在国内的实用化研究进行了简要分析.