利用STM技术研究Si衬底上TPE-An薄膜的压致变色机制

来源 :中国真空学会2014年年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:akk871204
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  作为一种重要的聚集诱导发光(AIE)材料,四苯乙烯衍生物9,10- 双(4-(1,2,2- 三苯乙烯)苯乙烯)蒽(TPE-An)近来成为了研究者的关注焦点.由于其成功地克服了荧光粹灭效应,有望在有机发光二极管、光伏电池、场效应管和固体存储等领域实现广泛应用 [1].尽管有一些小组已经研究了TPE-An 粉末的发光特性,但是TPE-An 薄膜的压致荧光变色特性本质及影响其工作特性的薄膜与衬底之间的界面作用机制至今还不清楚.在本文的工作中,我们利用STM 技术结合隧穿理论,研究了TPE-An 薄膜的压致荧光变色特性的起源及其薄膜- 界面的作用机制.STS 研究表明:在外加电压作用下,TPE-An 薄膜呈现出明显的能带收缩现象(最大值可达1.1eV).结合STS 实验结果和薄膜- 衬底界面的能带结构图,我们发现TPE-An 薄膜与硅衬底形成了电容式接触,而TPE-An分子的极化效应、薄膜表面的电场渗透作用是导致STS 谱上能带呈收缩变化的主要原因 [2].根据上述实验结果,我们推测在外力作用下TPE-An 能带可收缩的特点可能是压致荧光变色的本征原因.我们所提出的这种研究方法将为调控其它AIE 材料的压致发光特性提供有益的参考.
其他文献
本文以某化工企业扩建工程为对象,围绕生产工艺过程中产生的危害因素、劳动过程中有害因素和生产环境中的的有害因素进行职业卫生的管理,分析其使用的化工原料和化工产品生产过
学位
学位
学位
  原子层沉积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)技术是一种前沿的薄膜沉积与纳米结构合成技术.它通过周期性操纵气态反应物前驱体与基底之间表面饱和的化学反应进行高度可
会议
  二维材料是相当有潜力的纳米电子材料.电子器件的尺寸不断减小要求纳米电子材料不仅要具有像石墨烯一样较高的载流子迁移率,同时还要有较大的带隙.本文采用基于密度泛函理
会议
该文研究了用双波长分光光度法同时测定污水中的酚类和苯胺类,并对比色分析条件进行了实验探讨,确定了最佳实验条件为:测量波长对酚类为500~554nm,苯胺类为530~480nm;介质条
该文在P型半导体硅上进行了激光诱导电沉积铜,以及控电位、恒电流沉积镍、镍磷、镍钨合金的研究.首次在半导体上采用直接电沉积法制备出不同组成、具有晶态及非晶态结构的镍
  窄带隙Ⅲ-Ⅴ 族半导体InAs 有很高的电子迁移率,容易和金属形成欧姆接触,在光电器件和电子器件方面有广泛的应用前景.研究表明,基于InAs 纳米线的场效应器件可望具有很优异
会议
  作为TFT 材料,透明氧化物半导体受到广大研究者的瞩目.其中氧化锌薄膜晶体管是一个重要的研究对象.n 型ZnO 薄膜的载流子输运路径由Zn 原子的4S 轨道重叠而成.非晶薄膜的
会议