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窄带隙Ⅲ-Ⅴ 族半导体InAs 有很高的电子迁移率，容易和金属形成欧姆接触，在光电器件和电子器件方面有广泛的应用前景.研究表明，基于InAs 纳米线的场效应器件可望具有很优异的性能.但之前的器件中InAs 纳米线的直径都大于10 纳米.我们用MBE 生长的直径只有7.2 纳米的InAs 纳米线制备了场效应晶体管，开关比达到8 个量级.我们进一步研究了纳米线直径对器件的开关比，阈值电压，开态电流等的影响，并发现小直径纳米线的能隙增大是影响器件性能的关键之一.我们还系统研究了器件沟道长度，纳米线的生长方法(MBE 和MOCVD)，以及纳米线的晶体结构对器件性能的影响.