表面等离子体和减反膜对太阳电池性能的影响

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jacklong1234
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
表面等离子体技术可以利用金属纳米颗粒光散射、近场增强以及高度局域的表面等离子体极化激元增强太阳电池光吸收,提高太阳电池光电转换效率;利用表面等离子体光子学优化太阳电池的结构已成为当前该领域的一个研究热点[1,2].
其他文献
硅一维纳米结构是功能性纳米器件的理想构筑单元.硅纳米线阵列在一系列电子和光电子器件中展示了广泛的应用前景.但是,硅纳米线阵列器件一般是长在硅衬底上的,很难满足当前对
会议
基于电子自旋性质而不是其电荷性质的器件已经提出多年,近年来,基于非磁性半导体GaAs中电子的自旋性质的研究有很大的发展[1].最近在非磁性半导体三五族稀氮化合物GaNAs薄膜
会议
采用脉冲激光沉积技术在P型Si衬底上生长Al2O3栅绝缘层,利用射频磁控共溅射技术制备非晶InTiZnO半导体薄膜作为沟道有源层,成功制备了底栅结构的薄膜晶体管.
会议
二维单导体晶体具有独特的结构和物理性质,在下一代光、电器件中具有广泛的性质.与零维的量子点及一维的纳米线和纳米管比较,二维纳米材料与微加工技术相兼容,易于加工成复杂
会议
本研究提出了一种结合光致反常霍尔效应(AHE)[1]和逆自旋霍尔效应(RSHE)[2]研究室温下Rashba系统电子自旋输运的方法.光致反常霍尔电流来源于高斯型光斑产生的非平衡自旋极化
会议
Due to its long coherence time, nuclear spin is a buildingblock in many proposed novel devices for future spintronicsand spin-based quantum computation.
会议
硅材料是信息领域的重要支柱,然而它也有一定的局限性.首先,硅是间接带隙材料,其发光效率很低,不适合制作激光器等发光器件;其次,硅的载流子迁移率比较低,相同条件下的器件工
会议
自从2009年Bi2Te3被实验证实为三维强拓扑绝缘体材料,其迅速成为研究的热点[1-2].作为一种传统的室温热电材料,Bi2Te3已经得到广泛研究,但制备高质量、体态绝缘的Bi2Te3材料
会议
Ge2Sb2Te5合金是一种窄禁带半导体,主要应用于相变存储(Phase Change Memory),一种被认为是最具潜力的下一代非易失性存储技术.研究表明,Ge2Sb2Te5在低于其熔点时就可以由于
会议
InAs/GaSb超晶格具有Ⅱ型能带结构,能够抑制长波辐射的俄歇复合、提高载流子寿命.与目前窄禁带碲镉汞(HgCdTe,MCT)技术发展水平相比,InAs/GaSb通过调整层厚而非组分来控制带
会议