论文部分内容阅读
本研究提出了一种结合光致反常霍尔效应(AHE)[1]和逆自旋霍尔效应(RSHE)[2]研究室温下Rashba系统电子自旋输运的方法.光致反常霍尔电流来源于高斯型光斑产生的非平衡自旋极化载流子的漂移,随光斑位置的变化呈高斯函数的形式.
Rashba自旋轨道耦合系统中的自旋输运
【摘 要】
：
本研究提出了一种结合光致反常霍尔效应(AHE)[1]和逆自旋霍尔效应(RSHE)[2]研究室温下Rashba系统电子自旋输运的方法.光致反常霍尔电流来源于高斯型光斑产生的非平衡自旋极化
【机 构】
：
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京100871半导体材料科学实验室,中国科学院半导体所,北京100083北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北
【出 处】
：
第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2013年7期
其他文献
一直以来,太阳能电池表面减反射层的研究都是太阳能电池研究中的重点之一.对于硅电池而言,一般采用表面制绒以及氮化硅薄膜减反射层来降低反射率,减反射效果较原电池有较大的
会议
伴随着柔性电子学的发展,柔性的集成电子器件因为功能多样,并能适合特殊场合应用,引起了研究者们的兴趣.作为集成纳米器件家族的一员,自驱动的纳米传感器件也受到了越来越多
会议
在La0.33Sr0.67MnO3/Alq3/Co有机半导体自旋阀结构中一般得到负的巨磁电阻效应,即平行构型电阻大于平行构型电阻,而一般的CoFe/Al2O3/Co隧道结中得到的是正的磁电阻效应,因此
会议
有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、工艺简单、易于大面积制备和柔性应用等诸多优点,在柔性集成电路、柔性平板显示、传感器和存储器等有广泛的应用前景[1].
会议
有机场效应晶体管在有源矩阵显示器、射频识别标签、传感器等方向有着广泛的应用[1-3].其发展关键在于:器件性能的提高,生产成本的降低,应用范围的扩展等.
会议
基于电子自旋性质而不是其电荷性质的器件已经提出多年,近年来,基于非磁性半导体GaAs中电子的自旋性质的研究有很大的发展[1].最近在非磁性半导体三五族稀氮化合物GaNAs薄膜
会议
采用脉冲激光沉积技术在P型Si衬底上生长Al2O3栅绝缘层,利用射频磁控共溅射技术制备非晶InTiZnO半导体薄膜作为沟道有源层,成功制备了底栅结构的薄膜晶体管.
会议
二维单导体晶体具有独特的结构和物理性质,在下一代光、电器件中具有广泛的性质.与零维的量子点及一维的纳米线和纳米管比较,二维纳米材料与微加工技术相兼容,易于加工成复杂
会议