【摘 要】
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为了了解轴向磁场对硅单晶生长过程中硅熔体热毛细对流过程的影响,利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟,液池外壁被加热,内壁被冷却,底部和自由表面都绝热,磁场强度为0-0
【机 构】
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重庆大学动力工程学院,重庆,400044
【出 处】
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2006中国工程热物理学会传热传质学学术会议
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为了了解轴向磁场对硅单晶生长过程中硅熔体热毛细对流过程的影响,利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟,液池外壁被加热,内壁被冷却,底部和自由表面都绝热,磁场强度为0-0.1T.结果表明,当磁场强度较弱时,流动为三维振荡流;当磁场强度超过某-临界值时,流动被抑制,三维振荡流动将转变成轴对称稳定流动,为此,分析了三维扰动流动的基本特征,确定了临界磁场强度.
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