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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)是微波,大功率应用的优秀之选。但由于存在应变的AlGaN/GaN异质结极化效应较大,其肖特基接触的势垒高度的计算不能采用传统的计算方法来实现。在此,给出了计算应变掺杂的AlGaN/GaN异质结肖特基势垒高度的方法。通过C-V测量技术,获得了AlGaN/GaN界面的二维电子气密度和Pt肖特基势垒的高度分别为:6.9×10<-12>cm<-2>和1.18ev。