【摘 要】
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微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦
【机 构】
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北京工业大学 电控学院 北京 100022
【出 处】
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中国电子学会第十二届全国青年学术年会
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微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦合效应,使热分布不均匀,所以等值的发射极镇流电阻设计并不是最佳设计。我们发现,采用非等值的发射极镇流电阻结构,可以有效地改善器件温度分布的均匀性,并在一定程度上降低器件的最高温度,提高其热稳定性。
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