4H-SiC MESFET DIBL效应的新型解析模型

• 作 者: 曹全君 张义门 张玉明
• 机 构: 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室710071
• 出 处: 第六届西北地区计算物理学术会议
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: 高频特性 器件特征 特征尺寸 器件沟道 沟道效应

由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度的减少,4H-SiCMESFET会出现明显的短沟道效应,DIBL效应(Drain Induced Barrier Lowing Effect,漏致势垒降低效应)或者叫短沟穿通效应(Short Channel Punch-Through Effect)[1-3]是短沟道效应的重要方面.