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在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线，并且定向排列的硅纳米线以两种形式存在，一种是分散的平行排列，另外一种是象麻花状的定向排列。借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜等分析手段，研究外加电场对硅纳米线生长的影响。结果表明：高温单纯蒸发SiO粉末时，气体导电现象严重，以至于无法加上直流电压。在SiO粉末中掺入少量纯铜粉后，大大减少了放电空间中的带电粒子浓度，导致气体放电条件变差，使得外加电场促进了硅纳米线的有序性生长；在外加电场下定向排列生长的硅纳米线一般处于两个结点之间。