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集成电路（IC）约90％都要采用单晶硅片作为沉底材料，但单晶硅属典型硬脆材料，加工过程中很容易产生亚表面损伤，从而增加了后续加工的难度和成本，与当今IC 发展对硅片的高质量和低成本要求存在很大矛盾。因此，如何改进单晶硅片的加工技术方法，是相关领域研究的热点和难点。本文研究了电流场对单晶硅片表面硬度的影响，发现电流场可以显著降低单晶硅片的表面硬度，但这种效应与电流强度、表面深度以及电流加载方式（电流分布）等因素有密切相关，而且存在明显的尺度效应。显然，这些发现为解决硅片加工难题提供了有益的启示。