【摘 要】
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单晶硅表面由于晶体结构的不连续存在很多悬挂键,这些悬挂键作为少子复合中心会大大降低单晶硅表面的少子寿命,增加载流子复合,从而降低电池开路电压.因此表面钝化对于使用单
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071;南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071
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单晶硅表面由于晶体结构的不连续存在很多悬挂键,这些悬挂键作为少子复合中心会大大降低单晶硅表面的少子寿命,增加载流子复合,从而降低电池开路电压.因此表面钝化对于使用单晶硅作为衬底的硅基异质结太阳电池来讲是至关重要的.本文使用氢氟酸和碘酒对经过预处理的硅片进行钝化,测试其少子寿命来表征钝化效果.研究了经不同浓度和时间的氢氟酸和碘酒处理,硅片少子寿命随处理后时间的变化情况.使用Semilab WT-1200测试钝化后硅片的少子寿命,氢氟酸和碘酒钝化分别得到了超过160μs和190μs的结果.
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