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利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成In单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏.
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
【摘 要】
：
利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成I
【机 构】
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上海交通大学,物理系,上海,200240
【出 处】
：
第六届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
：
2007年期
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