【摘 要】
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使用直流磁控溅射和射频磁控溅射的方法,在聚酰亚胺基底上分别制备铝和氧化铜、钛和硼、钛和氧化铅复合含能桥膜。首先需要在玻璃基底上分别制备铝、氧化铜、钛、硼和氧
【机 构】
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陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,陕西西安,710016
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使用直流磁控溅射和射频磁控溅射的方法,在聚酰亚胺基底上分别制备铝和氧化铜、钛和硼、钛和氧化铅复合含能桥膜。首先需要在玻璃基底上分别制备铝、氧化铜、钛、硼和氧化铅单层薄膜,以探究在不同工艺条件下的薄膜沉积速率,寻找最佳的工艺参数。然后在聚酰亚胺基底上制备复合含能桥膜,膜系的总厚度为4 微米,层数为4 层和8 层两种,复合含能桥膜由两种不同的材料交替溅射制备得到,其中薄膜材料有五种分别为铝、氧化铜、钛、硼和氧化铅。最后得到聚酰亚胺基底上的铝/氧化铜、钛/硼、钛/氧化铅三种膜系的复合含能桥膜。在上述材料中铝和钛薄膜采用直流磁控溅射制备,而氧化铜薄膜采用的是铜和氧的反应溅射制备,硼和氧化铅薄膜采用射频磁控溅射制备。制备铝、钛和氧化铜薄膜的直流功率为75 瓦,制备氧化铅薄膜的射频功率为50 瓦,制备硼薄膜的射频功率为200 瓦,所使用的氩气流量皆为30sccm,在以上工艺参数下制备得到的薄膜,沉积速率快,薄膜生长满足使用要求。由于该项研究尚处于初始阶段,还有很多不足之处需要改进,在沉积速率和薄膜成核生长方面,还需进一步探索最佳的工艺参数,复合膜系的附着力也要提升以满足更高要求。
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