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本文提出一种具有浮动衬底偏压的SOI横向超结LDMOS。浮动的衬底偏压随着漏端电压变化，并保持在源端和漏端电压之间。对于N型超结LDMOS，衬底相对超结的N柱区是低电位，而相对超结的P柱区是高电位。随着漏端电压的增加，电子和空穴同时被吸引到埋氧层下方。这可以保持超结中电荷的平衡，缓解衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。ISE三维器件仿真结果表明，新结构改善了电场分布，击穿电压从83V提高到122V。