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基于自主开发的薄膜SOI CD高低压兼容工艺，成功研制一种64位输出、驱动电压80V、电流能力20mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显示板高压寻址电极驱动电路。
基于薄膜SOI工艺的PDP高压寻址驱动电路
【摘 要】
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基于自主开发的薄膜SOI CD高低压兼容工艺，成功研制一种64位输出、驱动电压80V、电流能力20mA、时钟频率大于40MHz的SOI基等离子显示板高压寻址电极驱动电路。
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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