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量鉴于未来对量子系统集成及大面积拓展的需求,由外延方式生长的量子点成为一个富有潜力的选项.然而,传统的自聚型量子点有无序分布的先天特性,使得其对称性和位置均不可控,这大大地增加了后续系统集成的困难度.此型量子点一般是在(100)晶向的衬底上外延生长,由于对称性较低而造成较大的精细结构劈裂.这将不利于产生高保真度的偏振纠缠光子对,进而无法为基于纠缠的量子信息处理使用.本报告中，选择采用金字塔型的量子点来实现上述目的。实验中所用的衬底为(111)B 晶向的砷化镓，并通过光学微影和化学蚀刻定义具六方排列的倒金字塔阵列，接着借由外延技术生长Ⅲ-Ⅴ族材料。