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VO2薄膜吸收区光谱斜率与异常电子跃迁的物理机制
【机 构】
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信息科学技术学院电子工程系,华东师范大学,上海,200241信息科学与工程学院光科学与工程系,复旦大学,上海,200433
【出 处】
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第十八届全国凝聚态光学性质学术会议
【发表日期】
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2016年8期
其他文献
In our experiment,it was observed that silicon nanocrystal rapidly grows with radiation of electron beam on amorphous silicon film prepared by pulsed laser
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