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室温下采用射频磁控溅射沉积高阻ZnO薄膜作为沟道层，在玻璃衬底上制备出底栅共平面型结构薄膜晶体管(TFT)。对比源漏极分别为Cr和ITO的两种TFT器件，发现两者均具有好的饱和特性，但ITO电极与高阻ZnO能形成更好的欧姆接触，在40V的栅极电压下，ITO电极TFT比Cr电极TFT饱和电流高3个数量级。相同沟道宽长比的TFT，ITO电极TFT具有更优异的电学性能，具有更高的开关态电流比和饱和场效应迁移率。