【摘 要】
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本文将Co-P薄片作为溅射靶材,在Si(100)基片上制备了Co-Pt-P三元合金薄膜,并借助振动样品磁力计和X射线衍射仪,研究了基板温度对薄膜磁性能与晶体结构的影响。结果表明,室温
【机 构】
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东北大学,材料各向异性与织构教育部重点实验室,辽宁,沈阳,110004
【出 处】
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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛
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本文将Co-P薄片作为溅射靶材,在Si(100)基片上制备了Co-Pt-P三元合金薄膜,并借助振动样品磁力计和X射线衍射仪,研究了基板温度对薄膜磁性能与晶体结构的影响。结果表明,室温下添加2.3％(原子分数,以下同)P元素,使得薄膜的矫顽力提高,添加7％P元素时,薄膜成为非晶态，随基板温度的提高,Co-12％Pt-2.3％P薄膜的面内矫顽力逐渐下降,而垂直膜面的矫顽力有所提高，随基板温度的升高,Co-12％Pt-7％P薄膜由非晶态逐渐晶化。当基板温度＜200℃时,薄膜为非晶态,当基板温度为400℃时,薄膜完全转变为晶态。
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