【摘 要】
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本文在硅基底上使用旋涂法制备均匀催化剂涂层,并用CVD法制备定向纳米碳管。其过程为:配制1mol/L浓度的Fe(NO3)3酒精溶液,加入适量的增稠剂搅拌均匀后在硅基底上进行旋涂,经60
【机 构】
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杭州电子科技大学,电子信息学院,浙江,杭州,310018
【出 处】
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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛
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本文在硅基底上使用旋涂法制备均匀催化剂涂层,并用CVD法制备定向纳米碳管。其过程为:配制1mol/L浓度的Fe(NO3)3酒精溶液,加入适量的增稠剂搅拌均匀后在硅基底上进行旋涂,经600℃烘烤后在硅基底上形成均匀Fe2O3膜层,对含有Fe2O3膜的样品使用CVD法制备了纳米碳管。CVD法制备纳米碳管前的NH3处理对最终获得的纳米碳管的形状及定向纳米碳管的取向程度起着非常重要的作用,具体考察了NH3处理时间对纳米碳管的影响,用SEM和TEM观察了纳米碳管,并与溅射法制备的催化剂生长的纳米碳管进行了比较。
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