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本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析
【摘 要】
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本文主要讨论了在γ-AlO结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
：
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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