深亚微米FD-SOI器件表面势模型

• 作 者: 程彬杰 邵志标 于忠 时廷
• 机 构: 西安交通大学(西安)
• 出 处: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 深亚微米 器件模型 全耗尽 表面势模型 修正参数 无穷级数 界面 公式 迭代过程 电位分布 泊松方程 亚阈区 计算量 直观 效应 物理 求解 集成 硅膜 二维

对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并且整个模型公式是基于物理的,不需要引入无穷级数或迭代过程,计算量小,十分适合EDA集成器件模型的需要.