【摘 要】
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随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展,集成电路器件持续朝着小型化和高集成的方向发展,电路中的层间和线间距离急剧缩小以及导线长度的增加,导致导线电阻以及导线间和
【机 构】
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东华大学 纤维和材料改性国家重点实验室,材料科学与工程学院,上海201620
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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随着超大规模集成电路(ULSI)的快速发展,集成电路器件持续朝着小型化和高集成的方向发展,电路中的层间和线间距离急剧缩小以及导线长度的增加,导致导线电阻以及导线间和层间电容增加,从而使得信号传输延迟、串扰等问题将变得异常突出.因此,探索新型低介电材料,替代现有SiO2,以满足纳米互联技术应用的要求,成为人们研究的热点.POSS是一类纳米有机-无机杂化分子,其立方Si—O—Si笼型结构的周围以共价键的方式连接着8个(或10个)有机基团(功能性或惰性),成为构筑不同结构有机-无机纳米分子杂化材料的理想平台.
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